เวเฟอร์ SiC ขนาด 4 นิ้ว วัสดุ SiC กึ่งฉนวน 6H เกรดหลัก เกรดวิจัย และเกรดจำลอง
ข้อมูลจำเพาะผลิตภัณฑ์
| ระดับ | เกรดการผลิต Zero MPD (เกรด Z) | เกรดการผลิตมาตรฐาน (เกรด P) | เกรดดัมมี่ (เกรด D) | ||||||||
| เส้นผ่านศูนย์กลาง | 99.5 มม. ~ 100.0 มม. | ||||||||||
| 4H-SI | 500 ไมโครเมตร±20 ไมโครเมตร | 500 ไมโครเมตร±25 ไมโครเมตร | |||||||||
| การวางแนวเวเฟอร์ |
นอกแกน: 4.0° ไปทาง< 1120 > ±0.5° สำหรับ 4H-N, บนแกน: <0001>±0.5° สำหรับ 4H-SI | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1ซม.-2 | ≤5 ซม.-2 | ≤15 ซม.-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·ซม. | ≥1E5 Ω·ซม. | |||||||||
| การวางแนวแบนหลัก | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| ความยาวแบนหลัก | 32.5 มม.±2.0 มม. | ||||||||||
| ความยาวแบนรอง | 18.0 มม.±2.0 มม. | ||||||||||
| การวางแนวแบนรอง | ซิลิกอนหงายขึ้น: 90° CW จาก Prime flat ±5.0° | ||||||||||
| การยกเว้นขอบ | 3 มม. | ||||||||||
| LTV/TTV/คันธนู/วาร์ป | ≤3 ไมโครเมตร/≤5 ไมโครเมตร/≤15 ไมโครเมตร/≤30 ไมโครเมตร | ≤10 ไมโครเมตร/≤15 ไมโครเมตร/≤25 ไมโครเมตร/≤40 ไมโครเมตร | |||||||||
| ความหยาบ | หน้าซี | ขัด | Ra≤1 นาโนเมตร | ||||||||
| หน้าซี | ซีเอ็มพี | Ra≤0.2 นาโนเมตร | Ra≤0.5 นาโนเมตร | ||||||||
| รอยแตกที่ขอบโดยแสงความเข้มสูง | ไม่มี | ความยาวสะสม ≤ 10 มม. เดี่ยว ความยาว≤2 มม. | |||||||||
| แผ่นหกเหลี่ยมด้วยแสงความเข้มสูง | พื้นที่สะสม ≤0.05% | พื้นที่สะสม ≤0.1% | |||||||||
| พื้นที่โพลีไทป์โดยแสงความเข้มสูง | ไม่มี | พื้นที่สะสม≤3% | |||||||||
| การรวมตัวของคาร์บอนที่มองเห็นได้ | พื้นที่สะสม ≤0.05% | พื้นที่สะสม ≤3% | |||||||||
| รอยขีดข่วนบนพื้นผิวซิลิกอนโดยแสงที่มีความเข้มสูง | ไม่มี | ความยาวสะสม≤1＊เส้นผ่านศูนย์กลางเวเฟอร์ | |||||||||
| ชิปขอบสูงด้วยแสงที่มีความเข้มข้นสูง | ไม่อนุญาตให้มีความกว้างและความลึก ≥0.2 มม. | อนุญาต 5 อัน, ≤1 มม. ต่ออัน | |||||||||
| การปนเปื้อนพื้นผิวซิลิกอนด้วยความเข้มข้นสูง | ไม่มี | ||||||||||
| บรรจุภัณฑ์ | ตลับเวเฟอร์หลายแผ่นหรือภาชนะเวเฟอร์แผ่นเดียว | ||||||||||
แผนภาพรายละเอียด
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
เขียนข้อความของคุณที่นี่และส่งถึงเรา