แผ่นเวเฟอร์ 4H-SiC แบบเอพิแท็กเซียล สำหรับ MOSFET แรงดันสูงพิเศษ (100–500 ไมโครเมตร, 6 นิ้ว)

การเติบโตอย่างรวดเร็วของรถยนต์ไฟฟ้า ระบบโครงข่ายไฟฟ้าอัจฉริยะ ระบบพลังงานหมุนเวียน และอุปกรณ์อุตสาหกรรมกำลังสูง ได้สร้างความต้องการอย่างเร่งด่วนสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่สามารถรองรับแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้น ความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้าสูงขึ้น และประสิทธิภาพที่มากขึ้น ในบรรดาเซมิคอนดักเตอร์ที่มีช่องว่างพลังงานกว้างนั้นซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)โดดเด่นด้วยช่องว่างพลังงานกว้าง การนำความร้อนสูง และความแข็งแรงของสนามไฟฟ้าวิกฤตที่เหนือกว่า

ของเราแผ่นเวเฟอร์เอพิแท็กเซียล 4H-SiCได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมมาโดยเฉพาะสำหรับการใช้งาน MOSFET แรงดันสูงพิเศษโดยมีชั้นเอพิแท็กเซียลที่มีช่วงตั้งแต่100 ไมโครเมตร ถึง 500 ไมโครเมตร on วัสดุพิมพ์ขนาด 6 นิ้ว (150 มม.)แผ่นเวเฟอร์เหล่านี้ให้บริเวณดริฟต์ที่กว้างขึ้นซึ่งจำเป็นสำหรับอุปกรณ์ระดับกิโลโวลต์ ในขณะที่ยังคงรักษาคุณภาพของผลึกและความสามารถในการปรับขนาดที่ยอดเยี่ยม ความหนามาตรฐาน ได้แก่ 100 ไมโครเมตร 200 ไมโครเมตร และ 300 ไมโครเมตร โดยสามารถปรับแต่งได้ตามต้องการ