Epi-ชั้น

พื้นผิวซิลิคอนออนฉนวน SOI เวเฟอร์สามชั้นสำหรับไมโครอิเล็กทรอนิกส์และความถี่วิทยุ
ฉนวนเวเฟอร์ซอยบนเวเฟอร์ซอยซิลิคอน 8 นิ้วและ 6 นิ้ว (ซิลิคอนออนฉนวน)
เวเฟอร์ SiC Epitaxiy ขนาด 6 นิ้วชนิด N/P ยอมรับการปรับแต่ง
เวเฟอร์ SiC Epi ขนาด 4 นิ้วสำหรับ MOS หรือ SBD
GaN-On-Sapphire ขนาด 6 นิ้ว
GaN ขนาด 50.8 มม. 2 นิ้วบนเวเฟอร์ Epi-layer แซฟไฟร์
GaN ขนาด 100 มม. 4 นิ้วบนเวเฟอร์ Epi-layer แซฟไฟร์แกลเลียมไนไตรด์ epitaxial wafer
150 มม. 200 มม. 6 นิ้ว 8 นิ้ว GaN บนซิลิคอนเวเฟอร์ชั้น Epi แกลเลียมไนไตรด์ epitaxial เวเฟอร์
GaN ขนาด 200 มม. 8 นิ้วบนพื้นผิวเวเฟอร์ Epi-layer แซฟไฟร์
4 นิ้ว 6 นิ้วลิเธียม niobate ฟิล์มผลึกเดี่ยว LNOI เวเฟอร์
เทมเพลต AlN 50.8 มม./100 มม. บนเทมเพลต NPSS/FSS AlN บนแซฟไฟร์