เมื่อวันที่ 26 Power Cube Semi ได้ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ MOSFET SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) 2300V ตัวแรกของเกาหลีใต้
เมื่อเปรียบเทียบกับเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้ Si (ซิลิคอน) ที่มีอยู่แล้ว SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) สามารถทนต่อแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่าได้ ดังนั้นจึงได้รับการยกย่องว่าเป็นอุปกรณ์เจเนอเรชั่นถัดไปที่เป็นผู้นำแห่งอนาคตของเซมิคอนดักเตอร์กำลังโดยทำหน้าที่เป็นองค์ประกอบสำคัญที่จำเป็นสำหรับการแนะนำเทคโนโลยีล้ำสมัย เช่น การแพร่กระจายของยานพาหนะไฟฟ้า และการขยายศูนย์ข้อมูลที่ขับเคลื่อนโดยปัญญาประดิษฐ์
Power Cube Semi เป็นบริษัท fables ที่พัฒนาอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังในสามประเภทหลัก: SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์), Si (ซิลิคอน) และ Ga2O3 (แกลเลียมออกไซด์)เมื่อเร็วๆ นี้ บริษัทได้ใช้และขาย Schottky Barrier Diodes (SBD) ความจุสูงให้กับบริษัทรถยนต์ไฟฟ้าระดับโลกในจีน ซึ่งได้รับการยอมรับในด้านการออกแบบและเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์
การเปิดตัว SiC MOSFET 2300V ถือเป็นกรณีการพัฒนาดังกล่าวครั้งแรกในเกาหลีใต้Infineon บริษัทเซมิคอนดักเตอร์กำลังระดับโลกที่ตั้งอยู่ในประเทศเยอรมนี ได้ประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์ 2000V ในเดือนมีนาคมเช่นกัน แต่ไม่มีกลุ่มผลิตภัณฑ์ 2300V
2000V CoolSiC MOSFET ของ Infineon ใช้แพ็คเกจ TO-247PLUS-4-HCC ตอบสนองความต้องการในการเพิ่มความหนาแน่นของพลังงานในหมู่นักออกแบบ ทำให้มั่นใจได้ถึงความน่าเชื่อถือของระบบแม้ภายใต้สภาวะแรงดันสูงและความถี่สวิตชิ่งที่เข้มงวด
CoolSiC MOSFET นำเสนอแรงดันไฟฟ้าเชื่อมโยงกระแสตรงที่สูงกว่า ช่วยให้สามารถเพิ่มพลังงานได้โดยไม่ต้องเพิ่มกระแสเป็นอุปกรณ์ซิลิกอนคาร์ไบด์แบบแยกชิ้นแรกในตลาดที่มีแรงดันพังทลายที่ 2000V โดยใช้แพ็คเกจ TO-247PLUS-4-HCC ที่มีระยะห่างตามผิวฉนวน 14 มม. และระยะห่าง 5.4 มม.อุปกรณ์เหล่านี้มีการสูญเสียสวิตช์ต่ำ และเหมาะสำหรับการใช้งาน เช่น เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ ระบบกักเก็บพลังงาน และการชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
ซีรีส์ผลิตภัณฑ์ CoolSiC MOSFET 2000V เหมาะสำหรับระบบบัส DC แรงดันไฟฟ้าสูงถึง 1500V DCเมื่อเปรียบเทียบกับ 1700V SiC MOSFET อุปกรณ์นี้ให้แรงดันไฟฟ้าเกินเพียงพอสำหรับระบบ 1500V DCCoolSiC MOSFET มีแรงดันไฟฟ้าตามเกณฑ์ 4.5V และมาพร้อมกับไดโอดตัวถังที่แข็งแกร่งเพื่อการสลับสับเปลี่ยนอย่างหนักด้วยเทคโนโลยีการเชื่อมต่อ .XT ส่วนประกอบเหล่านี้จึงมีประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ดีเยี่ยมและทนต่อความชื้นได้ดี
นอกเหนือจาก CoolSiC MOSFET 2000V แล้ว Infineon จะเปิดตัวไดโอด CoolSiC เสริมในแพ็คเกจ TO-247PLUS 4 พินและ TO-247-2 ในไตรมาสที่สามของปี 2567 และไตรมาสสุดท้ายของปี 2567 ตามลำดับไดโอดเหล่านี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานพลังงานแสงอาทิตย์มีผลิตภัณฑ์ชุดขับเกตที่ตรงกันให้เลือกด้วย
ซีรีส์ผลิตภัณฑ์ CoolSiC MOSFET 2000V มีวางจำหน่ายแล้วในตลาดนอกจากนี้ Infineon ยังมีบอร์ดประเมินผลที่เหมาะสม: EVAL-COOLSIC-2KVHCCนักพัฒนาสามารถใช้บอร์ดนี้เป็นแพลตฟอร์มการทดสอบทั่วไปที่แม่นยำในการประเมิน CoolSiC MOSFET และไดโอดทั้งหมดที่มีพิกัด 2000V รวมถึงชุดผลิตภัณฑ์ 1ED31xx ไดรเวอร์ EiceDRIVER single-channel Isolation Gate ขนาดกะทัดรัด ผ่านการทำงานของ PWM แบบพัลส์คู่หรือต่อเนื่อง
Gung Shin-soo ประธานเจ้าหน้าที่ฝ่ายเทคโนโลยีของ Power Cube Semi กล่าวว่า "เราสามารถขยายประสบการณ์ที่มีอยู่ในการพัฒนาและการผลิต SiC MOSFETs 1700V ในจำนวนมากเป็น 2300V ได้
เวลาโพสต์: 08 เม.ย.-2024