แผ่นรองพื้น SiC ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 3 นิ้ว (76.2 มม.) เกรด HPSI Prime Research และ Dummy

พื้นผิวตัวนำ: หมายถึงพื้นผิวซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีความต้านทาน 15~30 มิลลิโอห์ม-เซนติเมตร แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์แบบเอพิแท็กเซียลที่ปลูกจากพื้นผิวซิลิคอนคาร์ไบด์ตัวนำสามารถนำไปผลิตเป็นอุปกรณ์ไฟฟ้าได้ ซึ่งมีการใช้งานอย่างแพร่หลายในยานยนต์พลังงานใหม่ พลังงานแสงอาทิตย์ โครงข่ายไฟฟ้าอัจฉริยะ และระบบขนส่งทางราง

วัสดุกึ่งฉนวนหมายถึงวัสดุซิลิคอนคาร์ไบด์ที่มีความต้านทานสูงกว่า 100,000 โอห์ม-เซนติเมตร ซึ่งส่วนใหญ่ใช้ในการผลิตอุปกรณ์คลื่นความถี่วิทยุไมโครเวฟแกลเลียมไนไตรด์ และเป็นพื้นฐานของสาขาการสื่อสารไร้สาย

เป็นส่วนประกอบพื้นฐานในด้านการสื่อสารไร้สาย

วัสดุพื้นฐานที่เป็นตัวนำและกึ่งฉนวนที่ทำจากซิลิคอนคาร์ไบด์ถูกนำไปใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และอุปกรณ์ไฟฟ้าหลากหลายประเภท รวมถึงแต่ไม่จำกัดเพียงสิ่งต่อไปนี้:

อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังสูง (ตัวนำไฟฟ้า): แผ่นรองพื้นซิลิคอนคาร์ไบด์มีค่าความแข็งแรงของสนามไฟฟ้าที่ทำให้เกิดการแตกตัวสูงและค่าการนำความร้อนสูง เหมาะสำหรับการผลิตทรานซิสเตอร์กำลังสูง ไดโอด และอุปกรณ์อื่นๆ

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ RF (แบบกึ่งฉนวน): แผ่นรองพื้นซิลิคอนคาร์ไบด์มีอัตราการสวิตช์สูงและทนต่อกำลังไฟฟ้าได้ดี เหมาะสำหรับงานต่างๆ เช่น เครื่องขยายกำลัง RF อุปกรณ์ไมโครเวฟ และสวิตช์ความถี่สูง

อุปกรณ์อิเล็กโทรออปติก (แบบกึ่งฉนวน): วัสดุพื้นฐานซิลิคอนคาร์ไบด์มีช่องว่างพลังงานกว้างและเสถียรภาพทางความร้อนสูง เหมาะสำหรับการผลิตโฟโตไดโอด เซลล์แสงอาทิตย์ เลเซอร์ไดโอด และอุปกรณ์อื่นๆ

เซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิ (แบบนำความร้อน): วัสดุพื้นฐานที่ทำจากซิลิคอนคาร์ไบด์มีค่าการนำความร้อนและความเสถียรทางความร้อนสูง เหมาะสำหรับการผลิตเซ็นเซอร์อุณหภูมิสูงและเครื่องมือวัดอุณหภูมิ

กระบวนการผลิตและการประยุกต์ใช้วัสดุพื้นฐานนำไฟฟ้าและกึ่งฉนวนซิลิคอนคาร์ไบด์มีขอบเขตและศักยภาพที่กว้างขวาง ซึ่งเปิดโอกาสใหม่ๆ สำหรับการพัฒนาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และอุปกรณ์ไฟฟ้า