พื้นผิว SiC ขนาด Dia76.2 มม. ขนาด 3 นิ้ว HPSI Prime Research และเกรด Dummy

พื้นผิวที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า: หมายถึงความต้านทานของพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ 15~30mΩ-cmเวเฟอร์ซิลิกอนคาร์ไบด์เอพิแทกเซียลที่ปลูกจากซับสเตรตซิลิกอนคาร์ไบด์นำไฟฟ้าสามารถนำไปผลิตเพิ่มเติมเป็นอุปกรณ์ไฟฟ้า ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายในยานพาหนะพลังงานใหม่ เซลล์แสงอาทิตย์ กริดอัจฉริยะ และการขนส่งทางรถไฟ

พื้นผิวกึ่งฉนวนหมายถึงความต้านทานที่สูงกว่าพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์100,000Ω-cm ซึ่งส่วนใหญ่ใช้ในการผลิตอุปกรณ์ความถี่วิทยุไมโครเวฟแกลเลียมไนไตรด์เป็นพื้นฐานของสาขาการสื่อสารไร้สาย

เป็นองค์ประกอบพื้นฐานในด้านการสื่อสารไร้สาย

พื้นผิวที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าและกึ่งฉนวนของซิลิคอนคาร์ไบด์ถูกนำมาใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และอุปกรณ์ไฟฟ้าหลายประเภท ซึ่งรวมถึงแต่ไม่จำกัดเฉพาะสิ่งต่อไปนี้:

อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังสูง (เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า): พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์มีความแรงของสนามไฟฟ้าและค่าการนำความร้อนสูง และเหมาะสำหรับการผลิตทรานซิสเตอร์กำลังสูงและไดโอด และอุปกรณ์อื่นๆ

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ RF (กึ่งหุ้มฉนวน): พื้นผิวซิลิคอนคาร์ไบด์มีความเร็วในการเปลี่ยนสูงและความทนทานต่อกำลัง เหมาะสำหรับการใช้งาน เช่น เครื่องขยายสัญญาณเสียง RF อุปกรณ์ไมโครเวฟ และสวิตช์ความถี่สูง

อุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ (กึ่งฉนวน): พื้นผิวซิลิคอนคาร์ไบด์มีช่องว่างพลังงานกว้างและมีเสถียรภาพทางความร้อนสูง เหมาะสำหรับทำโฟโตไดโอด เซลล์แสงอาทิตย์ เลเซอร์ไดโอด และอุปกรณ์อื่นๆ

เซ็นเซอร์อุณหภูมิ (สื่อกระแสไฟฟ้า): พื้นผิวซิลิคอนคาร์ไบด์มีค่าการนำความร้อนสูงและมีเสถียรภาพทางความร้อน เหมาะสำหรับการผลิตเซ็นเซอร์อุณหภูมิสูงและเครื่องมือวัดอุณหภูมิ

กระบวนการผลิตและการใช้งานซับสเตรตที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าและกึ่งฉนวนของซิลิกอนคาร์ไบด์นั้นมีขอบเขตและศักยภาพที่หลากหลาย ซึ่งทำให้เกิดความเป็นไปได้ใหม่ๆ ในการพัฒนาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และอุปกรณ์ไฟฟ้า