150 มม. 6 นิ้ว 0.7 มม. 0.5 มม. ผู้ให้บริการพื้นผิวเวเฟอร์แซฟไฟร์ C-Plane SSP/DSP

คำอธิบายสั้น:

ทั้งหมดข้างต้นเป็นคำอธิบายที่ถูกต้องของคริสตัลแซฟไฟร์ประสิทธิภาพอันเป็นเลิศของคริสตัลแซฟไฟร์ทำให้มีการใช้กันอย่างแพร่หลายในสาขาเทคนิคระดับสูงด้วยการพัฒนาอย่างรวดเร็วของอุตสาหกรรม LED ความต้องการวัสดุคริสตัลแซฟไฟร์ก็เพิ่มขึ้นเช่นกัน

ส่งอีเมลถึงเรา

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

การใช้งาน

การใช้งานสำหรับเวเฟอร์แซฟไฟร์ขนาด 6 นิ้ว ได้แก่:

1. การผลิต LED: เวเฟอร์แซฟไฟร์สามารถใช้เป็นพื้นผิวของชิป LED ได้ และความแข็งและการนำความร้อนสามารถปรับปรุงเสถียรภาพและอายุการใช้งานของชิป LED ได้

2. การผลิตเลเซอร์: เวเฟอร์แซฟไฟร์สามารถใช้เป็นสารตั้งต้นของเลเซอร์ได้ เพื่อช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของเลเซอร์และยืดอายุการใช้งาน

3. การผลิตเซมิคอนดักเตอร์: เวเฟอร์แซฟไฟร์ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์ รวมถึงการสังเคราะห์ด้วยแสง เซลล์แสงอาทิตย์ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง ฯลฯ

4. การใช้งานอื่นๆ: เวเฟอร์แซฟไฟร์ยังสามารถใช้ในการผลิตหน้าจอสัมผัส อุปกรณ์ออพติคอล เซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบาง และผลิตภัณฑ์ไฮเทคอื่นๆ

ข้อมูลจำเพาะ

วัสดุ	Al2O3 ผลึกเดี่ยวที่มีความบริสุทธิ์สูง เวเฟอร์แซฟไฟร์
มิติ	150 มม. +/- 0.05 มม. 6 นิ้ว
ความหนา	1300 +/- 25 อืม
ปฐมนิเทศ	ระนาบ C (0001) ออฟ M (1-100) ระนาบ 0.2 +/- 0.05 องศา
ปฐมนิเทศแนวราบ	เครื่องบิน +/- 1 องศา
ความยาวแบนหลัก	47.5 มม. +/- 1 มม
การเปลี่ยนแปลงความหนารวม (TTV)	<20 อืม
โค้งคำนับ	<25 อืม
วาร์ป	<25 อืม
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน	6.66 x 10-6 / °C ขนานกับแกน C, 5 x 10-6 /°C ตั้งฉากกับแกน C
ความเป็นฉนวน	4.8 x 105 โวลต์/ซม
ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก	11.5 (1 MHz) ตามแนวแกน C, 9.3 (1 MHz) ตั้งฉากกับแกน C
แทนเจนต์การสูญเสียอิเล็กทริก (aka ปัจจัยการกระจาย)	น้อยกว่า 1 x 10-4
การนำความร้อน	40 วัตต์/(เอ็มเค) ที่ 20°C
ขัด	ขัดเงาด้านเดียว (SSP) หรือขัดเงาสองด้าน (DSP) Ra < 0.5 นาโนเมตร (โดย AFM)ด้านหลังของเวเฟอร์ SSP นั้นบดละเอียดถึง Ra = 0.8 - 1.2 um
การส่งผ่าน	88% +/-1 % @460 นาโนเมตร