แผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ Dia50.8 มม. หน้าต่างแซฟไฟร์ การส่งผ่านแสงสูง DSP/SSP

คำอธิบายสั้น ๆ :

เนื่องมาจากโครงตาข่ายที่ไม่ตรงกันน้อยกว่าและคุณสมบัติทางเคมีและกายภาพที่เสถียร เวเฟอร์แซฟไฟร์ (Al2O3) จึงเป็นสารตั้งต้นที่นิยมใช้ทำไนไตรด์ III-V ตัวนำยิ่งยวด และฟิล์มอิพิแทกเซียลแม่เหล็ก โดยมีการใช้กันอย่างแพร่หลายใน GaN และการเติบโตของอิพิแทกเซียลฟิล์มบาง ซิลิกอนบนแซฟไฟร์ ตลาด LED และอุตสาหกรรมออปติก

ส่งอีเมล์ถึงเรา

คุณสมบัติ

ทำไมต้องแซฟไฟร์?

คุณสมบัติของแซฟไฟร์คริสตัลเดี่ยว
1. แซฟไฟร์มีการส่งผ่านแสงสูง จึงใช้กันอย่างแพร่หลายเป็นวัสดุไดอิเล็กตริกของหลอดไมโครอิเล็กทรอนิกส์ องค์ประกอบการนำไฟฟ้าอัลตราโซนิก โพรงเลเซอร์เวฟไกด์ และองค์ประกอบออปติกอื่นๆ เป็นวัสดุหน้าต่างสำหรับอุปกรณ์ทางการทหารอินฟราเรด ยานอวกาศ เลเซอร์ความเข้มสูง และการสื่อสารด้วยแสง

2. แซฟไฟร์มีความแข็งแกร่งสูง ความแข็งแรงสูง อุณหภูมิการทำงานสูง ทนทานต่อการสึกกร่อน ทนต่อการกัดกร่อน ดังนั้นพื้นผิวแซฟไฟร์จึงมักใช้ในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง เช่น มาตรวัดน้ำในหม้อไอน้ำ (ทนทานต่ออุณหภูมิสูง) เครื่องสแกนบาร์โค้ดสินค้าโภคภัณฑ์ ตลับลูกปืน และการผลิตที่แม่นยำอื่นๆ (ทนทานต่อการสึกหรอ) ถ่านหิน แก๊ส เซ็นเซอร์ตรวจจับบ่อน้ำ และหน้าต่างเครื่องตรวจจับ (ป้องกันการกัดกร่อน)

3. แซฟไฟร์มีคุณสมบัติเป็นฉนวนไฟฟ้า ความโปร่งใส การนำความร้อนที่ดี และมีความแข็งแรงสูง จึงสามารถใช้เป็นวัสดุพื้นผิวของวงจรรวม เช่น LED และวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ วงจรรวมความเร็วสูงพิเศษ

ข้อมูลจำเพาะ

เส้นผ่านศูนย์กลาง	50.8มม. +/-0.1มม. หรือ +/-0.02มม.
ความหนา	0.43มม. ± 0.1มม. หรือ +/-0.02มม.
ปฐมนิเทศ	เครื่องบิน C/เครื่องบิน A/เครื่องบิน M/เครื่องบิน R
คุณภาพพื้นผิว (ขูดและขุด)	60/40, 40/20 หรือดีกว่า
ความแม่นยำของพื้นผิว	λ/10, λ/2, λ
รูรับแสงที่ชัดเจน	>85%, >90%
การประมวลผลแบบคู่ขนาน	+/-3', +/-30''
เอียง	0.1~0.3มม.×45องศา
การเคลือบ	AR, BBAR หรือตามคำขอของลูกค้า (UV, VIS, IR)

เลขที่	คุณสมบัติ	เป้า	ความอดทน	หมายเหตุ
1	เส้นผ่านศูนย์กลาง	50.8มม.	± 0.1มม.
2	ความหนา	430ไมโครเมตร	±15ไมโครเมตร
3	การวางแนวพื้นผิวของระนาบ C	ออกจากแกน C ไปที่ M0.2°	± 0.1°
4	ความยาวแบนหลัก	16มม.	±11มม.
5	การวางแนวแบบแบนเบื้องต้น	เครื่องบินเอ(11-20)	±0.1°
6	ความหยาบด้านหลัง	0.8~1.2ไมโครเมตร
7	ความหยาบด้านหน้า	<0.3นาโนเมตร
8	ขอบเวเฟอร์	ประเภท R
9	การเปลี่ยนแปลงความหนารวม, TTV	≤ 10μm (LTV≤5μm, 5*5)
10	ซอรี	≤10ไมโครเมตร
11	โค้งคำนับ	-10 ไมโครเมตร ≤ โบว์ ≤ 0
12	เครื่องหมายเลเซอร์	ไม่มีข้อมูล		ไม่มี
	บรรจุุภัณฑ์	25 เวเฟอร์ในตลับเดียว
	ความสามารถในการติดตาม	เวเฟอร์จะต้องสามารถตรวจสอบได้โดยใช้หมายเลขตลับ