เวเฟอร์ซับสเตรต SiC 4H-semi HPSI 2 นิ้ว เกรดการวิจัยจำลองการผลิต
เวเฟอร์ SiC ของซับสเตรตซิลิกอนคาร์ไบด์กึ่งฉนวน
พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ส่วนใหญ่แบ่งออกเป็นประเภทสื่อกระแสไฟฟ้าและกึ่งฉนวน พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์นำไฟฟ้าไปยังพื้นผิวประเภท n ส่วนใหญ่จะใช้สำหรับ LED ที่ใช้ GaN แบบ epitaxial และอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ใช้ SiC ฯลฯ และกึ่ง ฉนวนพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ SiC ส่วนใหญ่จะใช้สำหรับการผลิต epitaxial ของอุปกรณ์ความถี่วิทยุกำลังสูง GaNนอกจากนี้ความบริสุทธิ์สูงกึ่งฉนวน HPSI และ SI กึ่งฉนวนจะแตกต่างกัน ความเข้มข้นของผู้ให้บริการกึ่งฉนวนความบริสุทธิ์สูง 3.5 * 1,013 ~ 8 * 1,015/cm3 ช่วงที่มีความคล่องตัวสูงของอิเล็กตรอนฉนวนกึ่งฉนวนเป็นวัสดุที่มีความต้านทานสูง มีความต้านทานสูงมาก โดยทั่วไปใช้สำหรับพื้นผิวอุปกรณ์ไมโครเวฟ ไม่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า
แผ่นซับสเตรตซิลิคอนคาร์ไบด์กึ่งฉนวน เวเฟอร์ SiC
โครงสร้างผลึก SiC เป็นตัวกำหนดทางกายภาพ โดยสัมพันธ์กับ Si และ GaAs โดย SiC มีไว้เพื่อคุณสมบัติทางกายภาพความกว้างของแถบต้องห้ามนั้นมีขนาดใหญ่เกือบ 3 เท่าของ Si เพื่อให้มั่นใจว่าอุปกรณ์ทำงานที่อุณหภูมิสูงภายใต้ความน่าเชื่อถือในระยะยาวความแรงของสนามพังทลายสูง คือ 1O เท่าของ Si เพื่อให้แน่ใจว่าความจุแรงดันไฟฟ้าของอุปกรณ์ ปรับปรุงค่าแรงดันไฟฟ้าของอุปกรณ์อัตราอิเล็กตรอนอิ่มตัวมีขนาดใหญ่เป็น 2 เท่าของ Si เพื่อเพิ่มความถี่และความหนาแน่นของพลังงานของอุปกรณ์ค่าการนำความร้อนสูง มากกว่า Si ค่าการนำความร้อนสูง ค่าการนำความร้อนสูง ค่าการนำความร้อนสูง ค่าการนำความร้อนสูง มากกว่า Si ค่าการนำความร้อนสูง ค่าการนำความร้อนสูงค่าการนำความร้อนสูงมากกว่า Si มากกว่า 3 เท่า เพิ่มความสามารถในการกระจายความร้อนของอุปกรณ์และทำให้อุปกรณ์มีขนาดเล็กลง
แผนภาพโดยละเอียด
