แผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ Dia50.8 มม. หน้าต่างแซฟไฟร์ การส่งผ่านแสงสูง DSP/SSP

คำอธิบายสั้น ๆ :

เนื่องจากโครงตาข่ายที่มีความคลาดเคลื่อนน้อยกว่าและคุณสมบัติทางเคมีและฟิสิกส์ที่เสถียร เวเฟอร์แซฟไฟร์ (Al2O3) จึงเป็นวัสดุรองรับที่นิยมใช้ในการผลิตไนไตรด์ III-V ตัวนำยิ่งยวด และฟิล์มอิพิแทกเซียลแม่เหล็ก เวเฟอร์ชนิดนี้ถูกนำไปใช้อย่างแพร่หลายในเทคโนโลยี GaN และฟิล์มบางแบบอิพิแทกเซียล ซิลิคอนบนแซฟไฟร์ ตลาด LED และอุตสาหกรรมออปติก

ส่งอีเมล์ถึงเรา

คุณสมบัติ

ทำไมต้อง Sapphire?

คุณสมบัติของแซฟไฟร์ผลึกเดี่ยว
1. แซฟไฟร์มีการส่งผ่านแสงสูง จึงใช้กันอย่างแพร่หลายเป็นวัสดุไดอิเล็กตริกของท่อไมโครอิเล็กทรอนิกส์ องค์ประกอบการนำอัลตราโซนิก ช่องเลเซอร์ท่อนำคลื่น และองค์ประกอบออปติกอื่นๆ เป็นวัสดุหน้าต่างสำหรับอุปกรณ์ทางทหารอินฟราเรด ยานอวกาศ เลเซอร์ความเข้มสูง และการสื่อสารด้วยแสง

2. แซฟไฟร์มีความแข็งแกร่งสูง ความแข็งแรงสูง อุณหภูมิการทำงานสูง ทนทานต่อการสึกกร่อน ทนต่อการกัดกร่อน ดังนั้นจึงมักใช้พื้นผิวแซฟไฟร์ในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง เช่น มาตรวัดน้ำในหม้อไอน้ำ (ทนทานต่ออุณหภูมิสูง) เครื่องสแกนบาร์โค้ดสินค้าโภคภัณฑ์ ตลับลูกปืน และการผลิตที่แม่นยำอื่นๆ (ทนทานต่อการสึกหรอ) ถ่านหิน แก๊ส เซ็นเซอร์ตรวจจับบ่อน้ำ และหน้าต่างตรวจจับ (ป้องกันการกัดกร่อน)

3. แซฟไฟร์มีคุณสมบัติเป็นฉนวนไฟฟ้า ความโปร่งใส การนำความร้อนที่ดี และมีความแข็งแกร่งสูง จึงสามารถใช้เป็นวัสดุพื้นผิวของวงจรรวม เช่น วงจร LED และไมโครอิเล็กทรอนิกส์ วงจรรวมความเร็วสูงพิเศษ

ข้อมูลจำเพาะ

เส้นผ่านศูนย์กลาง	50.8 มม. +/-0.1 มม. หรือ +/-0.02 มม.
ความหนา	0.43 มม. ± 0.1 มม. หรือ +/-0.02 มม.
ปฐมนิเทศ	เครื่องบิน C/เครื่องบิน A/เครื่องบิน M/เครื่องบิน R
คุณภาพพื้นผิว (ขูดและขุด)	60/40, 40/20 หรือดีกว่า
ความแม่นยำของพื้นผิว	λ/10, λ/2, λ
รูรับแสงที่ชัดเจน	>85%, >90%
การทำงานแบบคู่ขนาน	+/-3', +/-30''
เอียง	0.1~0.3มม.×45 องศา
การเคลือบ	AR, BBAR หรือตามคำขอของลูกค้า (UV, VIS, IR)

เลขที่	คุณสมบัติ	เป้า	ความอดทน	หมายเหตุ
1	เส้นผ่านศูนย์กลาง	50.8 มม.	± 0.1 มม.
2	ความหนา	430ไมโครเมตร	±15ไมโครเมตร
3	การวางแนวพื้นผิวของระนาบ C	ออกจากแกน C ไปที่ M0.2°	± 0.1°
4	ความยาวแบนหลัก	16 มม.	±11 มม.
5	การวางแนวแบบแบนหลัก	เครื่องบินเอ(11-20)	±0.1°
6	ความหยาบด้านหลัง	0.8~1.2ไมโครเมตร
7	ความหยาบด้านหน้า	<0.3 นาโนเมตร
8	ขอบเวเฟอร์	ประเภท R
9	การเปลี่ยนแปลงความหนารวม, TTV	≤ 10μm (LTV≤5μm, 5*5)
10	โซริ	≤10ไมโครเมตร
11	โค้งคำนับ	-10 ไมโครเมตร ≤ โบว์ ≤ 0
12	เลเซอร์มาร์ค	ไม่มีข้อมูล		ไม่มี
	บรรจุุภัณฑ์	เวเฟอร์ 25 แผ่นในตลับเดียว
	ความสามารถในการติดตาม	เวเฟอร์จะต้องสามารถตรวจสอบได้โดยใช้หมายเลขตลับ