12 นิ้ว Dia300x1.0mmt พื้นผิวเวเฟอร์แซฟไฟร์ C-Plane SSP/DSP

คำอธิบายสั้น ๆ :

ด้วยการพัฒนาทางวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี ได้มีการหยิบยกข้อกำหนดใหม่สำหรับขนาดและคุณภาพของวัสดุคริสตัลแซฟไฟร์ ขณะนี้ ด้วยการพัฒนาอย่างรวดเร็วของระบบไฟส่องสว่างแบบเซมิคอนดักเตอร์และการใช้งานใหม่ๆ ที่เกิดขึ้นใหม่ ตลาดสำหรับคริสตัลแซฟไฟร์ขนาดใหญ่ที่มีต้นทุนต่ำ คุณภาพสูง กำลังขยายตัวอย่างมาก

ส่งอีเมลถึงเรา

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

สถานการณ์ตลาดพื้นผิวแซฟไฟร์ขนาด 12 นิ้ว

ในปัจจุบัน แซฟไฟร์มีการใช้งานหลัก 2 ประการ ประการแรกคือวัสดุพื้นผิว ซึ่งส่วนใหญ่เป็นวัสดุพื้นผิว LED และอีกประการหนึ่งคือหน้าปัดนาฬิกา การบิน การบินและอวกาศ วัสดุหน้าต่างการผลิตพิเศษ

แม้ว่าซิลิคอนคาร์ไบด์ ซิลิคอน และแกลเลียมไนไตรด์จะมีจำหน่ายเป็นสารตั้งต้นสำหรับไฟ LED นอกเหนือจากแซฟไฟร์ แต่การผลิตจำนวนมากยังคงเป็นไปไม่ได้เนื่องจากต้นทุนและปัญหาคอขวดทางเทคนิคที่ยังไม่ได้รับการแก้ไข สารตั้งต้นแซฟไฟร์ผ่านการพัฒนาทางเทคนิคในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา การจับคู่ขัดแตะ การนำไฟฟ้า คุณสมบัติทางกล การนำความร้อน และคุณสมบัติอื่น ๆ ได้รับการปรับปรุงและส่งเสริมอย่างมาก ความได้เปรียบด้านต้นทุนเป็นสิ่งสำคัญ ดังนั้นแซฟไฟร์จึงกลายเป็นวัสดุพื้นผิวที่เติบโตเต็มที่และมีเสถียรภาพมากที่สุด ในอุตสาหกรรม LED มีการใช้กันอย่างแพร่หลายในตลาดโดยมีส่วนแบ่งการตลาดสูงถึง 90%

ลักษณะของพื้นผิวเวเฟอร์แซฟไฟร์ขนาด 12 นิ้ว

1. พื้นผิวแซฟไฟร์มีจำนวนอนุภาคต่ำมาก โดยมีอนุภาคน้อยกว่า 50 อนุภาค 0.3 ไมครอนหรือใหญ่กว่าต่อ 2 นิ้วในช่วงขนาด 2 ถึง 8 นิ้ว และโลหะหลัก (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni , Cu, Zn) ต่ำกว่า 2E10/cm2 วัสดุฐานขนาด 12 นิ้วก็คาดว่าจะได้เกรดนี้เช่นกัน
2. สามารถใช้เป็นแผ่นเวเฟอร์พาหะสำหรับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขนาด 12 นิ้ว (พาเลทขนส่งในอุปกรณ์) และเป็นสารตั้งต้นสำหรับการยึดเหนี่ยว
3. สามารถควบคุมรูปร่างของพื้นผิวเว้าและนูนได้
วัสดุ: Al2O3 ผลึกเดี่ยวที่มีความบริสุทธิ์สูง, เวเฟอร์แซฟไฟร์
คุณภาพ LED ไม่มีฟองอากาศ รอยแตก ฝาแฝด เชื้อสาย ไม่มีสี...ฯลฯ

เวเฟอร์แซฟไฟร์ 12 นิ้ว

ปฐมนิเทศ	ระนาบ C<0001> +/- 1 องศา
เส้นผ่านศูนย์กลาง	300.0 +/-0.25 มม
ความหนา	1.0 +/-25um
รอยบาก	รอยบากหรือแบน
ทีทีวี	<50um
โค้งคำนับ	<50um
ขอบ	ลบมุมเชิงป้องกัน
ด้านหน้า – ขัดเงา 80/50
เลเซอร์มาร์ค	ไม่มี
บรรจุภัณฑ์	กล่องใส่เวเฟอร์เดี่ยว
ด้านหน้า Epi ready ขัดเงา (Ra <0,3nm)
ด้านหลัง Epi ขัดเงาแล้ว (Ra <0,3nm)