เวเฟอร์ SiC Epi ขนาด 4 นิ้วสำหรับ MOS หรือ SBD
Epitaxy หมายถึงการเติบโตของชั้นของวัสดุผลึกเดี่ยวคุณภาพสูงกว่าบนพื้นผิวของซับสเตรตซิลิคอนคาร์ไบด์ในหมู่พวกเขาการเจริญเติบโตของชั้น epitaxis ของแกลเลียมไนไตรด์บนพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์กึ่งฉนวนเรียกว่า epitaxy ที่ต่างกันการเจริญเติบโตของชั้น epitaxis ของซิลิคอนคาร์ไบด์บนพื้นผิวของสารตั้งต้นของซิลิคอนคาร์ไบด์ที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าเรียกว่า epitaxy ที่เป็นเนื้อเดียวกัน
Epitaxis เป็นไปตามข้อกำหนดการออกแบบอุปกรณ์สำหรับการเจริญเติบโตของชั้นการทำงานหลัก ซึ่งส่วนใหญ่จะกำหนดประสิทธิภาพของชิปและอุปกรณ์ โดยมีต้นทุน 23%วิธีการหลักของ epitaxy แบบฟิล์มบาง SiC ในขั้นตอนนี้ ได้แก่ การสะสมไอสารเคมี (CVD), epitaxy ลำแสงโมเลกุล (MBE), epitaxy เฟสของเหลว (LPE) และการสะสมด้วยเลเซอร์แบบพัลซ์และการระเหิด (PLD)
Epitaxy เป็นจุดเชื่อมโยงที่สำคัญมากในอุตสาหกรรมทั้งหมดด้วยการเพิ่มชั้น epitaxis ของ GaN บนพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์กึ่งฉนวน เวเฟอร์ epitaxis ของ GaN ที่ใช้ซิลิกอนคาร์ไบด์จึงถูกผลิตขึ้น ซึ่งสามารถนำไปสร้างเพิ่มเติมเป็นอุปกรณ์ GaN RF ได้ เช่น ทรานซิสเตอร์การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนสูง (HEMT)
โดยการปลูกชั้น epitaxial ของซิลิคอนคาร์ไบด์บนพื้นผิวที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าเพื่อให้ได้แผ่นเวเฟอร์ epitaxial ของซิลิคอนคาร์ไบด์ และในชั้น epitaxis ในการผลิตไดโอด Schottky ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ครึ่งสนามทองคำออกซิเจน ทรานซิสเตอร์สองขั้วเกตที่หุ้มฉนวน และอุปกรณ์ไฟฟ้าอื่น ๆ ดังนั้นคุณภาพของ epitaxis กับประสิทธิภาพของอุปกรณ์มีผลกระทบอย่างมากต่อการพัฒนาของอุตสาหกรรมก็มีบทบาทที่สำคัญมากเช่นกัน
แผนภาพโดยละเอียด
![เอเอสดี (1)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-110.jpg)
![เอเอสดี (2)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-25.png)