เวเฟอร์ SiC Epitaxiy ขนาด 6 นิ้วชนิด N/P ยอมรับการปรับแต่ง
กระบวนการเตรียมเวเฟอร์เอพิเทแอกเชียลซิลิคอนคาร์ไบด์เป็นวิธีการที่ใช้เทคโนโลยีการสะสมไอสารเคมี (CVD)ต่อไปนี้เป็นหลักการทางเทคนิคที่เกี่ยวข้องและขั้นตอนการเตรียมการ:
หลักการทางเทคนิค:
การสะสมไอสารเคมี: การใช้ก๊าซวัตถุดิบในเฟสก๊าซภายใต้สภาวะการทำปฏิกิริยาที่เฉพาะเจาะจง ก๊าซจะสลายตัวและสะสมอยู่บนพื้นผิวเพื่อสร้างฟิล์มบางที่ต้องการ
ปฏิกิริยาเฟสก๊าซ: ผ่านปฏิกิริยาไพโรไลซิสหรือปฏิกิริยาการแตกร้าว ก๊าซวัตถุดิบต่างๆ ในเฟสก๊าซจะมีการเปลี่ยนแปลงทางเคมีในห้องปฏิกิริยา
ขั้นตอนการเตรียมการ:
การรักษาพื้นผิว: พื้นผิวจะต้องผ่านการทำความสะอาดพื้นผิวและการปรับสภาพก่อนเพื่อให้มั่นใจในคุณภาพและความตกผลึกของเวเฟอร์เอพิแทกเซียล
การแก้ไขจุดบกพร่องของห้องปฏิกิริยา: ปรับอุณหภูมิ ความดัน และอัตราการไหลของห้องปฏิกิริยาและพารามิเตอร์อื่นๆ เพื่อให้มั่นใจถึงความเสถียรและการควบคุมสภาวะของปฏิกิริยา
การจัดหาวัตถุดิบ: จัดหาวัตถุดิบก๊าซที่ต้องการเข้าไปในห้องปฏิกิริยา การผสมและควบคุมอัตราการไหลตามความจำเป็น
กระบวนการเกิดปฏิกิริยา: ด้วยการให้ความร้อนแก่ห้องปฏิกิริยา วัตถุดิบที่เป็นก๊าซจะเกิดปฏิกิริยาทางเคมีในห้องเพาะเลี้ยงเพื่อสร้างตะกอนที่ต้องการ เช่น ฟิล์มซิลิคอนคาร์ไบด์
การทำความเย็นและการขนถ่าย: เมื่อสิ้นสุดปฏิกิริยา อุณหภูมิจะค่อยๆ ลดลงเพื่อทำให้คราบสะสมในห้องปฏิกิริยาเย็นลงและแข็งตัว
การอบอ่อนของแผ่นเวเฟอร์แบบอีพิแทกเซียลและหลังการประมวลผล: เวเฟอร์แบบเอพิแทกเซียลที่สะสมไว้จะถูกอบอ่อนและผ่านกระบวนการภายหลังเพื่อปรับปรุงคุณสมบัติทางไฟฟ้าและทางแสง
ขั้นตอนและเงื่อนไขเฉพาะของกระบวนการเตรียมเวเฟอร์เอพิแทกเซียลซิลิคอนคาร์ไบด์อาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์และข้อกำหนดเฉพาะข้อมูลข้างต้นเป็นเพียงผังกระบวนการและหลักการทั่วไปเท่านั้น จำเป็นต้องปรับเปลี่ยนและเพิ่มประสิทธิภาพการดำเนินงานเฉพาะตามสถานการณ์จริง
แผนภาพโดยละเอียด
![วีแชทIMG321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![วีแชทIMG320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)