แผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ Dia50.8 มม. หน้าต่างแซฟไฟร์ การส่งผ่านแสงสูง DSP/SSP

คำอธิบายสั้น ๆ :

เนื่องมาจากโครงตาข่ายที่ไม่ตรงกันน้อยกว่าและคุณสมบัติทางเคมีและกายภาพที่เสถียร เวเฟอร์แซฟไฟร์ (Al2O3) จึงเป็นสารตั้งต้นที่นิยมใช้ทำไนไตรด์ III-V ตัวนำยิ่งยวด และฟิล์มอิพิแทกเซียลแม่เหล็ก โดยมีการใช้กันอย่างแพร่หลายใน GaN และการเติบโตของอิพิแทกเซียลฟิล์มบาง ซิลิกอนบนแซฟไฟร์ ตลาด LED และอุตสาหกรรมออปติก

ส่งอีเมล์ถึงเรา

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

ทำไมต้องแซฟไฟร์?

คุณสมบัติของแซฟไฟร์คริสตัลเดี่ยว
1. แซฟไฟร์มีการส่งผ่านแสงสูง จึงใช้กันอย่างแพร่หลายเป็นวัสดุไดอิเล็กตริกของหลอดไมโครอิเล็กทรอนิกส์ องค์ประกอบการนำไฟฟ้าอัลตราโซนิก โพรงเลเซอร์เวฟไกด์ และองค์ประกอบออปติกอื่นๆ เป็นวัสดุหน้าต่างสำหรับอุปกรณ์ทางการทหารอินฟราเรด ยานอวกาศ เลเซอร์ความเข้มสูง และการสื่อสารด้วยแสง

2. แซฟไฟร์มีความแข็งแกร่งสูง ความแข็งแรงสูง อุณหภูมิการทำงานสูง ทนทานต่อการสึกกร่อน ทนต่อการกัดกร่อน ดังนั้น แซฟไฟร์จึงมักใช้ในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง เช่น มาตรวัดน้ำในหม้อไอน้ำ (ทนทานต่ออุณหภูมิสูง) เครื่องสแกนบาร์โค้ดสินค้าโภคภัณฑ์ ตลับลูกปืน และการผลิตที่แม่นยำอื่นๆ (ทนทานต่อการสึกหรอ) ถ่านหิน แก๊ส เซ็นเซอร์ตรวจจับบ่อน้ำ และหน้าต่างเครื่องตรวจจับ (ป้องกันการกัดกร่อน)

3. แซฟไฟร์มีคุณสมบัติเป็นฉนวนไฟฟ้า ความโปร่งใส การนำความร้อนที่ดี และมีความแข็งแรงสูง จึงสามารถใช้เป็นวัสดุพื้นผิวของวงจรรวม เช่น LED และวงจรไมโครอิเล็กทรอนิกส์ วงจรรวมความเร็วสูงพิเศษ

ข้อมูลจำเพาะ

เส้นผ่านศูนย์กลาง	50.8มม. +/-0.1มม. หรือ +/-0.02มม.
ความหนา	0.43มม. ± 0.1มม. หรือ +/-0.02มม.
ปฐมนิเทศ	เครื่องบิน C/เครื่องบิน A/เครื่องบิน M/เครื่องบิน R
คุณภาพพื้นผิว (ขูดและขุด)	60/40, 40/20 หรือดีกว่า
ความแม่นยำของพื้นผิว	λ/10, λ/2, λ
รูรับแสงที่ชัดเจน	>85%, >90%
การประมวลผลแบบคู่ขนาน	+/-3', +/-30''
เอียง	0.1~0.3มม.×45องศา
การเคลือบ	AR, BBAR หรือตามคำขอของลูกค้า (UV, VIS, IR)

เลขที่	คุณสมบัติ	เป้า	ความอดทน	หมายเหตุ
1	เส้นผ่านศูนย์กลาง	50.8มม.	± 0.1มม.
2	ความหนา	430ไมโครเมตร	±15ไมโครเมตร
3	การวางแนวพื้นผิวของระนาบ C	ปิดแกน C ไปที่ M0.2°	± 0.1°
4	ความยาวแบนหลัก	16มม.	±11มม.
5	การวางแนวแบบแบนเบื้องต้น	เครื่องบินเอ(11-20)	±0.1°
6	ความหยาบด้านหลัง	0.8~1.2ไมโครเมตร
7	ความหยาบด้านหน้า	<0.3นาโนเมตร
8	ขอบเวเฟอร์	ประเภท R
9	การเปลี่ยนแปลงความหนารวม, TTV	≤ 10μm (LTV≤5μm, 5*5)
10	ซอรี	≤10ไมโครเมตร
11	โค้งคำนับ	-10 ไมโครเมตร ≤ โบว์ ≤ 0
12	เครื่องหมายเลเซอร์	ไม่มีข้อมูล		ไม่มี
	บรรจุุภัณฑ์	25 เวเฟอร์ในตลับเดียว
	ความสามารถในการติดตาม	เวเฟอร์จะต้องสามารถตรวจสอบได้โดยใช้หมายเลขตลับ