เลนส์ออปติคอล Sic 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI ขนาดที่กำหนดเอง
ลักษณะสำคัญ
| องค์ประกอบทางเคมี | อัล2โอ3 |
| ความแข็ง | 9โมห์ส |
| ธรรมชาติทางแสง | แกนเดียว |
| ดัชนีหักเหแสง | 1.762-1.770 |
| การหักเหของแสงแบบสองทิศทาง | 0.008-0.010 |
| การกระจายตัว | ต่ำ 0.018 |
| ความแวววาว | วุ้นตา |
| พลีโครอิซึม | ปานกลางถึงมาก |
| เส้นผ่านศูนย์กลาง | 0.4มม.-30มม. |
| ความคลาดเคลื่อนของเส้นผ่านศูนย์กลาง | 0.004มม.-0.05มม. |
| ความยาว | 2มม.-150มม. |
| ความคลาดเคลื่อนของความยาว | 0.03มม.-0.25มม. |
| คุณภาพพื้นผิว | 40/20 |
| ความกลมของพื้นผิว | RZ0.05 |
| รูปทรงที่กำหนดเอง | ปลายทั้งสองข้างแบน ปลายด้านหนึ่งเป็นสีแดง ปลายทั้งสองเป็นสีแดง หมุดอานและรูปทรงพิเศษ |
คุณสมบัติหลัก
1. ดัชนีหักเหแสงสูงและช่องรับแสงกว้าง: เลนส์ออปติก SiC มอบประสิทธิภาพทางแสงที่โดดเด่นด้วยดัชนีหักเหแสงประมาณ 2.6-2.7 ตลอดช่วงสเปกตรัมการทำงาน ช่องรับแสงกว้าง (600-1850 นาโนเมตร) นี้ครอบคลุมทั้งช่วงแสงที่มองเห็นและช่วงแสงอินฟราเรดใกล้ จึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับระบบถ่ายภาพหลายสเปกตรัมและการใช้งานออปติกแบบบรอดแบนด์ ค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงต่ำของวัสดุในช่วงเหล่านี้ทำให้ลดทอนสัญญาณน้อยที่สุด แม้ในการใช้งานเลเซอร์กำลังสูง
2. คุณสมบัติทางแสงแบบไม่เชิงเส้นที่โดดเด่น: โครงสร้างผลึกอันเป็นเอกลักษณ์ของซิลิคอนคาร์ไบด์ทำให้มีค่าสัมประสิทธิ์ทางแสงแบบไม่เชิงเส้นที่โดดเด่น (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2) ทำให้กระบวนการแปลงความถี่มีประสิทธิภาพ คุณสมบัติเหล่านี้กำลังถูกนำไปใช้ประโยชน์อย่างแพร่หลายในแอปพลิเคชันที่ล้ำสมัย เช่น ออสซิลเลเตอร์พาราเมตริกแบบออปติคัล ระบบเลเซอร์ความเร็วสูง และอุปกรณ์ประมวลผลสัญญาณแบบออปติคัลทั้งหมด เกณฑ์ความเสียหายที่สูงของวัสดุ (>5 GW/cm2) ยิ่งช่วยเพิ่มความเหมาะสมสำหรับการใช้งานที่มีความเข้มสูง
3. เสถียรภาพทางกลและความร้อน: ด้วยโมดูลัสยืดหยุ่นที่เกือบ 400 GPa และค่าการนำความร้อนมากกว่า 300 W/m·K ส่วนประกอบออปติคัล SiC จึงรักษาเสถียรภาพที่ยอดเยี่ยมภายใต้แรงกดเชิงกลและวัฏจักรความร้อน ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนที่ต่ำมาก (4.0×10-6/K) ช่วยให้เกิดการเลื่อนโฟกัสน้อยที่สุดเมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนแปลง ซึ่งเป็นข้อได้เปรียบที่สำคัญสำหรับระบบออปติคัลความแม่นยำสูงที่ทำงานในสภาพแวดล้อมทางความร้อนที่ผันผวน เช่น การใช้งานในอวกาศหรืออุปกรณ์การประมวลผลเลเซอร์ในอุตสาหกรรม
4. คุณสมบัติควอนตัม: ศูนย์สีซิลิคอนเวคแคนซี (VSi) และไดแวคแคนซี (VSiVC) ในโพลีไทป์ 4H-SiC และ 6H-SiC แสดงสถานะสปินที่สามารถระบุตำแหน่งได้ทางแสง โดยมีเวลาโคฮีเรนซ์ที่ยาวนานที่อุณหภูมิห้อง ตัวปล่อยควอนตัมเหล่านี้กำลังถูกรวมเข้ากับเครือข่ายควอนตัมที่ปรับขนาดได้ และมีแนวโน้มสูงเป็นพิเศษสำหรับการพัฒนาเซ็นเซอร์ควอนตัมที่อุณหภูมิห้องและอุปกรณ์หน่วยความจำควอนตัมในสถาปัตยกรรมคอมพิวเตอร์ควอนตัมแบบโฟโตนิก
5. ความเข้ากันได้กับ CMOS: ความเข้ากันได้กับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์มาตรฐานของ SiC ช่วยให้สามารถผสานรวมแบบโมโนลิธิกเข้ากับแพลตฟอร์มโฟโตนิกส์ซิลิคอนได้โดยตรง ซึ่งช่วยให้สามารถสร้างระบบโฟโตนิกส์-อิเล็กทรอนิกส์แบบไฮบริดที่ผสานข้อดีด้านออปติกของ SiC เข้ากับฟังก์ชันอิเล็กทรอนิกส์ของซิลิคอน เปิดโอกาสใหม่ๆ ให้กับการออกแบบระบบบนชิปในการประมวลผลด้วยแสงและการใช้งานด้านการตรวจจับ
แอปพลิเคชันหลัก
1. วงจรรวมโฟโตนิกส์ (PICs): ใน PICs ยุคใหม่ เลนส์ออปติก SiC ช่วยให้มีความหนาแน่นและประสิทธิภาพในการผสานรวมที่เหนือชั้น เลนส์เหล่านี้มีประโยชน์อย่างยิ่งสำหรับการเชื่อมต่อแบบออปติกระดับเทราบิตในศูนย์ข้อมูล ซึ่งการผสมผสานระหว่างดัชนีหักเหแสงสูงและการสูญเสียแสงต่ำช่วยให้มีรัศมีการโค้งงอที่แคบโดยไม่ทำให้สัญญาณลดลงอย่างมีนัยสำคัญ ความก้าวหน้าล่าสุดได้แสดงให้เห็นถึงการใช้งานในวงจรโฟโตนิกส์แบบนิวโรมอร์ฟิกสำหรับการใช้งานด้านปัญญาประดิษฐ์ ซึ่งคุณสมบัติเชิงแสงแบบไม่เชิงเส้นช่วยให้สามารถใช้งานเครือข่ายประสาทเทียมแบบออปติกทั้งหมดได้
2. ข้อมูลควอนตัมและการประมวลผล: นอกเหนือจากการใช้งานที่ศูนย์สีแล้ว เลนส์ SiC ยังถูกนำมาใช้ในระบบการสื่อสารควอนตัม เนื่องจากความสามารถในการรักษาสถานะโพลาไรเซชันและความเข้ากันได้กับแหล่งกำเนิดโฟตอนเดี่ยว วัสดุนี้มีคุณสมบัติไม่เชิงเส้นอันดับสองสูง จึงถูกนำไปใช้เป็นอินเทอร์เฟซการแปลงความถี่ควอนตัม ซึ่งจำเป็นสำหรับการเชื่อมต่อระบบควอนตัมต่างๆ ที่ทำงานที่ความยาวคลื่นต่างกัน
3. การบินและอวกาศและการป้องกันประเทศ: ความแข็งของรังสีของ SiC (ที่ทนต่อปริมาณรังสีมากกว่า 1 MGy) ทำให้ SiC เป็นสิ่งจำเป็นสำหรับระบบออปติคัลในอวกาศ การใช้งานล่าสุด ได้แก่ ระบบติดตามดวงดาวสำหรับการนำทางด้วยดาวเทียม และเทอร์มินัลการสื่อสารด้วยแสงสำหรับการเชื่อมต่อระหว่างดาวเทียม ในการใช้งานด้านการป้องกันประเทศ เลนส์ SiC ช่วยให้ระบบเลเซอร์กำลังสูงขนาดกะทัดรัดรุ่นใหม่สำหรับการใช้งานพลังงานแบบกำหนดทิศทาง และระบบ LiDAR ขั้นสูงที่มีความละเอียดช่วงแสงที่ดีขึ้น
4. ระบบออปติคัล UV: ประสิทธิภาพของ SiC ในสเปกตรัม UV (โดยเฉพาะที่ต่ำกว่า 300 นาโนเมตร) ประกอบกับความทนทานต่อผลกระทบจากโซลาร์ไรเซชัน ทำให้เป็นวัสดุที่เลือกใช้ในระบบลิโธกราฟี UV เครื่องมือตรวจวัดโอโซน และอุปกรณ์สังเกตการณ์ดาราศาสตร์ฟิสิกส์ คุณสมบัติการนำความร้อนสูงของวัสดุนี้เป็นประโยชน์อย่างยิ่งต่อการใช้งาน UV กำลังสูง ซึ่งผลกระทบจากเลนส์ความร้อนจะทำให้เลนส์ทั่วไปเสื่อมสภาพ
5. อุปกรณ์โฟโตนิกส์แบบบูรณาการ: นอกเหนือจากการใช้งานท่อนำคลื่นแบบดั้งเดิมแล้ว SiC ยังช่วยสร้างอุปกรณ์โฟโตนิกส์แบบบูรณาการประเภทใหม่ ๆ ซึ่งรวมถึงตัวแยกแสงที่อาศัยเอฟเฟกต์แมกนีโตออปติก ไมโครเรโซเนเตอร์ Q สูงพิเศษสำหรับการกำเนิดหวีความถี่ และตัวปรับสัญญาณไฟฟ้าออปติกที่มีแบนด์วิดท์เกิน 100 GHz ความก้าวหน้าเหล่านี้กำลังผลักดันนวัตกรรมในการประมวลผลสัญญาณแสงและระบบโฟโตนิกส์ไมโครเวฟ
บริการของ XKH
ผลิตภัณฑ์ของ XKH ถูกนำไปใช้อย่างแพร่หลายในสาขาเทคโนโลยีขั้นสูง เช่น การวิเคราะห์สเปกโทรสโกปี ระบบเลเซอร์ กล้องจุลทรรศน์ และดาราศาสตร์ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของระบบออปติกได้อย่างมีประสิทธิภาพ นอกจากนี้ XKH ยังมีบริการสนับสนุนด้านการออกแบบ บริการด้านวิศวกรรม และการสร้างต้นแบบอย่างรวดเร็ว เพื่อให้มั่นใจว่าลูกค้าสามารถตรวจสอบและผลิตผลิตภัณฑ์จำนวนมากได้อย่างรวดเร็ว
เมื่อเลือกใช้ปริซึมออปติก SiC ของเรา คุณจะได้รับประโยชน์จาก:
1. ประสิทธิภาพที่เหนือกว่า: วัสดุ SiC มีความแข็งสูงและทนต่อความร้อน ช่วยให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพที่เสถียรแม้ในสภาวะที่รุนแรง
2.บริการที่กำหนดเอง: เราให้การสนับสนุนกระบวนการเต็มรูปแบบตั้งแต่การออกแบบจนถึงการผลิตตามความต้องการของลูกค้า
3. การส่งมอบที่มีประสิทธิภาพ: ด้วยกระบวนการขั้นสูงและประสบการณ์อันยาวนาน เราสามารถตอบสนองความต้องการของลูกค้าได้อย่างรวดเร็วและส่งมอบตรงเวลา
