ซีซี
-
แผ่นเวเฟอร์ SiC ขนาด 2 นิ้ว 6H หรือ 4H แผ่นรองพื้น SiC กึ่งฉนวน เส้นผ่านศูนย์กลาง 50.8 มม.
-
แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 2 นิ้ว 6H หรือ 4H ชนิด N หรือชนิดกึ่งฉนวน SiC
-
แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ 4H-N ขนาด 4 นิ้ว (เกรดสำหรับการผลิตและการวิจัย)
-
แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 6 นิ้ว (150 มม.) ชนิด 4H-N สำหรับการผลิต MOS หรือ SBD การวิจัย และเกรดตัวอย่าง
-
แผ่นเวเฟอร์ SiC 4H-N ขนาด 8 นิ้ว (200 มม.) แบบนำไฟฟ้า สำหรับงานวิจัย
-
แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 2 นิ้ว 6H หรือ 4H ชนิด N หรือชนิดกึ่งฉนวน SiC