แผ่นเซรามิกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)

โดยทั่วไปแล้ว แผ่นเซรามิก SiC ผลิตขึ้นโดยกระบวนการใดกระบวนการหนึ่งดังต่อไปนี้:

• ซิลิคอนคาร์ไบด์แบบยึดติดด้วยปฏิกิริยา (RBSC / RBSiC)

• เกิดจากการแทรกซึมของซิลิคอนหลอมเหลวเข้าไปในโครงสร้าง SiC ที่มีรูพรุน

• มีคุณสมบัติเด่นคือมีความแข็งแรงสูง ขึ้นรูปง่าย และคงรูปทรงได้ดี

• เหมาะสำหรับแผ่นขนาดใหญ่ที่ต้องการการควบคุมความเรียบอย่างเข้มงวด

• ซิลิคอนคาร์ไบด์เผาผนึก (SSiC)

• ผลิตขึ้นโดยกระบวนการเผาผนึกแบบไร้แรงดันของผง SiC บริสุทธิ์สูง

• ให้ความบริสุทธิ์ ความแข็งแรง และความทนทานต่อการกัดกร่อนที่เหนือกว่า

• เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และเคมีภัณฑ์ที่ต้องการสภาวะสะอาดเป็นพิเศษ

• ซิลิคอนคาร์ไบด์แบบ CVD (CVD-SiC)

• กระบวนการตกตะกอนไอสารเคมี

• มีความบริสุทธิ์สูงสุด มีความหนาแน่นสูงมาก และพื้นผิวเรียบเนียนเป็นพิเศษ

• พบได้ทั่วไปในตัวยึดแผ่นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ ตัวรองรับ และชิ้นส่วนห้องสุญญากาศ