ความบริสุทธิ์สูง 4 นิ้ว Al2O3 99.999% เวเฟอร์พื้นผิวแซฟไฟร์ Dia101.6 × 0.65mmt พร้อมความยาวแบนหลัก
คำอธิบาย
ข้อมูลจำเพาะทั่วไปของเวเฟอร์แซฟไฟร์ขนาด 4 นิ้วมีดังต่อไปนี้:
ความหนา: ความหนาของเวเฟอร์แซฟไฟร์ทั่วไปอยู่ระหว่าง 0.2 มม. ถึง 2 มม. และความหนาเฉพาะสามารถปรับแต่งได้ตามความต้องการของลูกค้า
Placement Edge: โดยปกติจะมีส่วนเล็ก ๆ ที่ขอบของแผ่นเวเฟอร์ที่เรียกว่า "ขอบของตำแหน่ง" ที่ปกป้องพื้นผิวและขอบของแผ่นเวเฟอร์ และมักจะไม่มีรูปร่าง
การเตรียมพื้นผิว: เวเฟอร์แซฟไฟร์ทั่วไปผ่านการกราวด์ด้วยกลไกและขัดด้วยกลไกทางเคมีเพื่อให้พื้นผิวเรียบ
คุณสมบัติพื้นผิว: พื้นผิวของเวเฟอร์แซฟไฟร์มักจะมีคุณสมบัติทางแสงที่ดี เช่น การสะท้อนแสงต่ำและดัชนีการหักเหของแสงต่ำ เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์
การใช้งาน
● สารตั้งต้นการเจริญเติบโตสำหรับสารประกอบ III-V และ II-VI
● อิเล็กทรอนิกส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์
● แอปพลิเคชัน IR
● วงจรรวมซิลิคอนออนแซฟไฟร์ (SOS)
● วงจรรวมความถี่วิทยุ (RFIC)
ข้อมูลจำเพาะ
| รายการ | C-plane (0001) 4 นิ้ว เวเฟอร์แซฟไฟร์ 650μm | |
| วัสดุคริสตัล | 99,999%, ความบริสุทธิ์สูง, Monocrystalline Al2O3 | |
| ระดับ | นายกรัฐมนตรี Epi-Ready | |
| การวางแนวพื้นผิว | เครื่องบินซี(0001) | |
| มุมออฟของระนาบ C ไปทางแกน M 0.2 +/- 0.1° | ||
| เส้นผ่านศูนย์กลาง | 100.0 มม. +/- 0.1 มม | |
| ความหนา | 650 ไมโครเมตร +/- 25 ไมโครเมตร | |
| ปฐมนิเทศแบนหลัก | เครื่องบิน A(11-20) +/- 0.2° | |
| ความยาวแบนหลัก | 30.0 มม. +/- 1.0 มม | |
| ขัดด้านเดียว | พื้นผิวด้านหน้า | Epi-ขัดเงา, Ra < 0.2 นาโนเมตร (โดย AFM) |
| (สสส.) | พื้นผิวด้านหลัง | ดินละเอียด Ra = 0.8 μm ถึง 1.2 μm |
| ขัดเงาสองด้าน | พื้นผิวด้านหน้า | Epi-ขัดเงา, Ra < 0.2 นาโนเมตร (โดย AFM) |
| (ดีเอสพี) | พื้นผิวด้านหลัง | Epi-ขัดเงา, Ra < 0.2 นาโนเมตร (โดย AFM) |
| ทีทีวี | < 20 ไมโครเมตร | |
| โค้งคำนับ | < 20 ไมโครเมตร | |
| วาร์ป | < 20 ไมโครเมตร | |
| การทำความสะอาด / บรรจุภัณฑ์ | การทำความสะอาดห้องสะอาดและบรรจุภัณฑ์สูญญากาศคลาส 100 | |
| 25 ชิ้นในบรรจุภัณฑ์ตลับเดียวหรือบรรจุภัณฑ์ชิ้นเดียว | ||
เรามีประสบการณ์หลายปีในอุตสาหกรรมแปรรูปแซฟไฟร์รวมถึงตลาดซัพพลายเออร์ของจีนรวมถึงตลาดอุปสงค์ระหว่างประเทศหากคุณมีความต้องการใด ๆ โปรดอย่าลังเลที่จะติดต่อเรา
แผนภาพโดยละเอียด
