SiC Wafers 6H กึ่งฉนวน SiC ขนาด 4 นิ้ว พื้นผิวไพรม์ เกรดวิจัย และเกรดจำลอง

พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์กึ่งฉนวนเกิดขึ้นจากการตัด การบด การขัดเงา การทำความสะอาด และเทคโนโลยีการประมวลผลอื่น ๆ หลังจากการเจริญเติบโตของผลึกซิลิกอนคาร์ไบด์กึ่งฉนวนชั้นคริสตัลหลายชั้นหรือหลายชั้นถูกปลูกบนพื้นผิวที่ตรงตามข้อกำหนดด้านคุณภาพเป็น epitaxy จากนั้นอุปกรณ์ RF ไมโครเวฟจะถูกสร้างขึ้นโดยการรวมการออกแบบวงจรและบรรจุภัณฑ์มีจำหน่ายเป็นพื้นผิวผลึกเดี่ยวซิลิกอนคาร์ไบด์กึ่งฉนวนเกรดอุตสาหกรรม 2 นิ้ว 3 นิ้ว 4 นิ้ว 6 นิ้ว 8 นิ้ว