ซิลิคอนไดออกไซด์เวเฟอร์ SiO2 เวเฟอร์หนาขัดเงานายกรัฐมนตรีและทดสอบ

เวเฟอร์ซิลิคอนออกไซด์เป็นฟิล์มซิลิคอนไดออกไซด์ที่เติบโตบนพื้นผิวของเวเฟอร์ซิลิคอนโดยใช้ออกซิเจนหรือไอน้ำที่อุณหภูมิสูง (800°C~1150°C) โดยใช้กระบวนการออกซิเดชันด้วยความร้อนกับอุปกรณ์ท่อเตาความดันบรรยากาศความหนาของกระบวนการมีตั้งแต่ 50 นาโนเมตรถึง 2 ไมครอน อุณหภูมิกระบวนการสูงถึง 1100 องศาเซลเซียส วิธีการเจริญเติบโตแบ่งออกเป็น "ออกซิเจนเปียก" และ "ออกซิเจนแห้ง" สองชนิดเทอร์มอลออกไซด์เป็นชั้นออกไซด์ที่ "เติบโต" ซึ่งมีความสม่ำเสมอสูงกว่า มีความหนาแน่นดีกว่า และมีความเป็นฉนวนสูงกว่าชั้นออกไซด์ที่สะสมด้วย CVD ส่งผลให้ได้คุณภาพที่เหนือกว่า

ออกซิเดชันของออกซิเจนแห้ง

ซิลิคอนทำปฏิกิริยากับออกซิเจน และชั้นออกไซด์จะเคลื่อนที่ไปยังชั้นซับสเตรตอย่างต่อเนื่องต้องทำปฏิกิริยาออกซิเดชันแบบแห้งที่อุณหภูมิ 850 ถึง 1200°C โดยมีอัตราการเติบโตต่ำกว่า และสามารถนำมาใช้สำหรับการเติบโตของเกตที่มีฉนวน MOS ได้ควรใช้ออกซิเดชันแบบแห้งมากกว่าออกซิเดชันแบบเปียก เมื่อต้องใช้ชั้นซิลิคอนออกไซด์คุณภาพสูงและบางเฉียบความสามารถในการออกซิเดชันแบบแห้ง: 15 นาโนเมตร ~ 300 นาโนเมตร

2. ออกซิเดชันแบบเปียก

วิธีนี้ใช้ไอน้ำเพื่อสร้างชั้นออกไซด์โดยเข้าไปในท่อเตาหลอมภายใต้สภาวะที่มีอุณหภูมิสูงความหนาแน่นของการเกิดออกซิเดชันของออกซิเจนเปียกนั้นแย่กว่าการเกิดออกซิเดชันของออกซิเจนแห้งเล็กน้อย แต่เมื่อเทียบกับการเกิดออกซิเดชันของออกซิเจนแห้ง ข้อดีของมันคือมีอัตราการเติบโตที่สูงกว่า เหมาะสำหรับการเติบโตของฟิล์มมากกว่า 500 นาโนเมตรความสามารถในการออกซิเดชันแบบเปียก: 500nm~2µm

ท่อเตาออกซิเดชันความดันบรรยากาศของ AEMD เป็นท่อเตาแนวนอนของเช็ก ซึ่งโดดเด่นด้วยความเสถียรของกระบวนการสูง ความสม่ำเสมอของฟิล์มที่ดี และการควบคุมอนุภาคที่เหนือกว่าท่อเตาหลอมซิลิคอนออกไซด์สามารถประมวลผลเวเฟอร์ได้สูงสุด 50 ชิ้นต่อหลอด โดยมีความสม่ำเสมอภายในและระหว่างเวเฟอร์ที่ดีเยี่ยม