สารตั้งต้น
-
แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนบนฉนวน (Silicon-on-Insulator Substrate หรือ SOI) สามชั้น สำหรับไมโครอิเล็กทรอนิกส์และคลื่นความถี่วิทยุ
-
แผ่นเวเฟอร์ SOI (Silicon-On-Insulator) ขนาด 8 นิ้วและ 6 นิ้ว ที่มีฉนวนบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน
-
แผ่นเวเฟอร์ SiC Epitaxy ขนาด 6 นิ้ว ชนิด N/P รับผลิตตามสั่ง
-
แผ่นเซรามิกอลูมินาขนาด 4 นิ้ว ความบริสุทธิ์ 99% ชนิดผลึกหลายเหลี่ยม ทนทานต่อการสึกหรอ ความหนา 1 มม.
-
แผ่นเวเฟอร์ SiC ขนาด 8 นิ้ว เกรด 4H-N หนา 200 มม.
-
แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนไดออกไซด์ (SiO2) หนา ขัดเงา เกรดพรีเมียมและเกรดทดสอบ
-
เมล็ดซิลิกา 4H-N ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 205 มม. จากประเทศจีน เกรด P และ D ชนิดโมโนคริสตัลไลน์
-
แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน FZ CZ ขนาด 12 นิ้ว พร้อมจำหน่ายแล้ว เหมาะสำหรับใช้งานทั่วไปหรือทดสอบ
-
แผ่นรองพื้น SiC ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 150 มม. 4H-N 6 นิ้ว เกรดสำหรับการผลิตและตัวอย่าง
-
แผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 3 นิ้ว (76.2 มม.) ความหนา 0.5 มม. แบบ C-plane SSP
-
แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนขนาด 8 นิ้ว ชนิด P/N (100) 1-100Ω แผ่นรองพื้นจำลองสำหรับรีไซเคิล
-
แผ่นเวเฟอร์ SiC Epi ขนาด 4 นิ้ว สำหรับ MOS หรือ SBD